DMS2085LSD-13
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

DMS2085LSD-13

Product Overview

المُصنّع:

Diodes Incorporated

رقم الجزء DiGi Electronics:

DMS2085LSD-13-DG

وصف:

MOSFET P-CH 20V 3.3A 8SO
وصف تفصيلي:
P-Channel 20 V 3.3A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 8-SO

المخزون:

2490 قطع جديدة أصلية في المخزون
12893712
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

DMS2085LSD-13 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.3A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
85mOhm @ 3.05A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
7.8 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
353 pF @ 15 V
ميزة FET
Schottky Diode (Isolated)
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.1W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-SO
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
رقم المنتج الأساسي
DMS2085

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
DMS2085LSD-13DICT
DMS2085LSD-13DITR
DMS2085LSD-13-DG
DMS2085LSD-13DIDKR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
taiwan-semiconductor

TSM060N03ECP ROG

MOSFET N-CHANNEL 30V 70A TO252

taiwan-semiconductor

TSM9N90ECZ C0G

MOSFET N-CHANNEL 900V 9A TO220

taiwan-semiconductor

TSM320N03CX RFG

MOSFET N-CHANNEL 30V 5.5A SOT23

vishay-siliconix

IRF730L

MOSFET N-CH 400V 5.5A I2PAK