DMS3012SFG-13

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

DMS3012SFG-13

Product Overview

المُصنّع:

Diodes Incorporated

رقم الجزء DiGi Electronics:

DMS3012SFG-13-DG

وصف:

MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI3333

وصف تفصيلي:

N-Channel 30 V 12A (Ta) 890mW (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت

12884941

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

DMS3012SFG-13 المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

Diodes Incorporated

تعبئة

-

سلسلة

-

حالة المنتج

Obsolete

نوع FET

N-Channel

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

30 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

12A (Ta)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)

4.5V, 10V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

10mOhm @ 13.5A, 10V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

2.5V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

14.7 nC @ 10 V

Vgs (ماكس)

±20V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

4310 pF @ 15 V

ميزة FET

Schottky Diode (Body)

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

890mW (Ta)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

حزمة جهاز المورد

PowerDI3333-8

العبوة / العلبة

8-PowerVDFN

معلومات إضافية

الباقة القياسية

3,000

اسماء اخرى

DMS3012SFG-13DI

DMS3012SFG-13DI-DG

DMS3012SFG-13DICT

-DMS3012SFG-13DITR

DMS3012SFG-13DITR

DMS3012SFG-13DIDKR

-DMS3012SFG-13DIDKR

-DMS3012SFG-13DICT

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS

ROHS3 Compliant

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء

AON6414A

المُصنِّع

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

الكمية المتاحة

29158

DiGi رقم الجزء

AON6414A-DG

سعر الوحدة

0.12

نوع الاستبدال

MFR Recommended

رقم الجزء

STL56N3LLH5

المُصنِّع

STMicroelectronics

الكمية المتاحة

2074

DiGi رقم الجزء

STL56N3LLH5-DG

سعر الوحدة

0.39

نوع الاستبدال

MFR Recommended

رقم الجزء

RQ3E120GNTB

المُصنِّع

Rohm Semiconductor

الكمية المتاحة

11286

DiGi رقم الجزء

RQ3E120GNTB-DG

سعر الوحدة

0.14

نوع الاستبدال

MFR Recommended

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

diodes

DMP58D0LFB-7

MOSFET P-CH 50V 180MA 3DFN

diodes

DMN61D8L-13

MOSFET N-CH 60V 470MA SOT23

diodes

DMT10H010LK3-13

MOSFET N-CH 100V 68.8A TO252

diodes

DMN6070SFCL-7

MOSFET N-CH 60V 3A X1-DFN1616-6