الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
Europe
United Kingdom
France
Spain
Turkey
Moldova
Lithuania
Norway
Germany
Portugal
Slovakia
ltaly
Finland
Russian
Bulgaria
Denmark
Estonia
Poland
Ukraine
Slovenia
Czech
Greek
Croatia
Israel
Serbia
Belarus
Netherlands
Sweden
Montenegro
Basque
Iceland
Bosnia
Hungarian
Romania
Austria
Belgium
Ireland
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
HongKong
TaiWan
Singapore
Pakistan
Saudi Arabia
Qatar
Kuwait
Cambodia
Myanmar
Africa,India and Middle East
United Arab Emirates
Tajikistan
Madagascar
India
Iran
DR Congo
South Africa
Egypt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Morocco
Tunisia
South America / Oceania
New Zealand
Angola
Brazil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
North America
United States
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMS3012SFG-7
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMS3012SFG-7-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 12A POWERDI3333
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 12A (Ta) 890mW (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12888694
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMS3012SFG-7 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
12A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
10mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
14.7 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4310 pF @ 15 V
ميزة FET
Schottky Diode (Body)
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
890mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PowerDI3333-8
العبوة / العلبة
8-PowerVDFN
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
اسماء اخرى
DMS3012SFG-7DITR
DMS3012SFG-7DICT
DMS3012SFG7
DMS3012SFG-7DIDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRFH8334TRPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
11160
DiGi رقم الجزء
IRFH8334TRPBF-DG
سعر الوحدة
0.16
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
RQ3E120BNTB
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
2880
DiGi رقم الجزء
RQ3E120BNTB-DG
سعر الوحدة
0.16
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
RQ3E130MNTB1
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
RQ3E130MNTB1-DG
سعر الوحدة
0.40
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMN2005LPK-7
MOSFET N-CH 20V 440MA 3DFN
DMP4013LFG-7
MOSFET P-CH 40V 10.3A PWRDI3333
DMN2055U-7
MOSFET N-CH 20V 4.8A SOT23 T&R 3
DMP32D5LFA-7B
MOSFET P-CH 30V 300MA 3DFN