DMS3014SFGQ-7
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

DMS3014SFGQ-7

Product Overview

المُصنّع:

Diodes Incorporated

رقم الجزء DiGi Electronics:

DMS3014SFGQ-7-DG

وصف:

MOSFET N-CH 30V 9.5A PWRDI3333-8
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 9.5A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8

المخزون:

11686 قطع جديدة أصلية في المخزون
12889111
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

DMS3014SFGQ-7 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
9.5A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
14.5mOhm @ 10.4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
19.3 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±12V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4310 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PowerDI3333-8
العبوة / العلبة
8-PowerVDFN
رقم المنتج الأساسي
DMS3014

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
2,000
اسماء اخرى
DMS3014SFGQ-7DIDKR
DMS3014SFGQ-7-DG
DMS3014SFGQ-7DICT
DMS3014SFGQ-7DITR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3K36MFV,L3F

MOSFET N-CH 20V 500MA VESM

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM6J422TU,LF

MOSFET P-CH 20V 4A UF6

toshiba-semiconductor-and-storage

SSM3K7002CFU,LF

MOSFET N-CH 60V 170MA USM

toshiba-semiconductor-and-storage

TK100E08N1,S1X

MOSFET N-CH 80V 100A TO220