رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMS3016SFG-7
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMS3016SFG-7-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 7A POWERDI3333-8
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 7A (Ta) 980mW (Ta) Surface Mount POWERDI3333-8
المخزون:
12883518
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMS3016SFG-7 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
7A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
13mOhm @ 11.2A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.2V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
44.6 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±12V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1886 pF @ 15 V
ميزة FET
Schottky Diode (Body)
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
980mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PowerDI3333-8
العبوة / العلبة
8-PowerVDFN
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
اسماء اخرى
DMS3016SFG-7DITR
DMS3016SFG7
DMS3016SFG-7DICT
DMS3016SFG-7DIDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
RQ3E100MNTB1
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
5261
DiGi رقم الجزء
RQ3E100MNTB1-DG
سعر الوحدة
0.40
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
RQ3E080BNTB
المُصنِّع
Rohm Semiconductor
الكمية المتاحة
40431
DiGi رقم الجزء
RQ3E080BNTB-DG
سعر الوحدة
0.10
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMN3731UFB4-7B
MOSFET N-CH 30V 1.2A 3DFN
DMT3008LFDF-13
MOSFET N-CH 30V 12A 6UDFN
DMN26D0UT-7
MOSFET N-CH 20V 230MA SOT523
