رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMS3019SSD-13
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMS3019SSD-13-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 30V 7A/5.7A 8SO
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 30V 7A, 5.7A 1.19W Surface Mount 8-SO
المخزون:
12882019
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMS3019SSD-13 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
7A, 5.7A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
15mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
42nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1932pF @ 15V
الطاقة - الحد الأقصى
1.19W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SO
رقم المنتج الأساسي
DMS3019
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
DMS3019SSD-13DICT
DMS3019SSD13
DMS3019SSD-13DIDKR
DMS3019SSD-13DITR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FDS6986AS
المُصنِّع
Fairchild Semiconductor
الكمية المتاحة
5000
DiGi رقم الجزء
FDS6986AS-DG
سعر الوحدة
0.38
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IRF7904TRPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
4573
DiGi رقم الجزء
IRF7904TRPBF-DG
سعر الوحدة
0.38
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMNH4026SSDQ-13
MOSFET 2N-CH 7.5A 8SO
DMN33D8LDW-7
MOSFET 2N-CH 30V 0.25A SOT363
DMG1029SV-7
MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563
