DMT10H4M5LPS-13
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

DMT10H4M5LPS-13

Product Overview

المُصنّع:

Diodes Incorporated

رقم الجزء DiGi Electronics:

DMT10H4M5LPS-13-DG

وصف:

MOSFET BVDSS: 61V-100V POWERDI50
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 19A (Ta), 100A (Tc) 2.3W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8

المخزون:

12895726
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

DMT10H4M5LPS-13 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
19A (Ta), 100A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4.3mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4843 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.3W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PowerDI5060-8
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
DMT10

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
DMT10H4M5LPS-13DI

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
taiwan-semiconductor

TSM8N80CI C0G

MOSFET N-CH 800V 8A ITO220AB

diodes

DMP2066UFDE-7

MOSFET P-CH 20V 6.2A 6UDFN

taiwan-semiconductor

TSM60NB099PW C1G

MOSFET N-CHANNEL 600V 38A TO247

taiwan-semiconductor

TSM045NB06CR RLG

MOSFET N-CH 60V 16A/104A 8PDFN