رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMT3003LFG-13
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMT3003LFG-13-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 22A PWRDI3333
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 22A (Ta), 100A (Tc) 2.4W (Ta), 62W (Tc) Surface Mount POWERDI3333-8
المخزون:
12900190
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMT3003LFG-13 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
22A (Ta), 100A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
3.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2370 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.4W (Ta), 62W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PowerDI3333-8
العبوة / العلبة
8-PowerVDFN
رقم المنتج الأساسي
DMT3003
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
DMT3003LFG-7
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
3688
DiGi رقم الجزء
DMT3003LFG-7-DG
سعر الوحدة
0.25
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
رقم الجزء
DMT3003LFGQ-13
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
DMT3003LFGQ-13-DG
سعر الوحدة
0.30
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TSM60NB380CH C5G
MOSFET N-CH 600V 9.5A TO251
TSM2N60ECP ROG
MOSFET N-CHANNEL 600V 2A TO252
TSM60N600CI C0G
MOSFET N-CH 600V 8A ITO220AB
