رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMT36M1LPS-13
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMT36M1LPS-13-DG
وصف:
MOSFET N-CH 30V 65A PWRDI5060-8
وصف تفصيلي:
N-Channel 30 V 65A (Tc) 2.6W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8
المخزون:
1764 قطع جديدة أصلية في المخزون
12888193
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMT36M1LPS-13 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
65A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
6mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
16.7 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1155 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.6W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PowerDI5060-8
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
DMT36
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
DMT36M1LPS-13DICT
DMT36M1LPS-13DIDKR
DMT36M1LPS-13-DG
DMT36M1LPS-13DITR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FDMS7682
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
5880
DiGi رقم الجزء
FDMS7682-DG
سعر الوحدة
0.23
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
PJQ5410_R2_00001
المُصنِّع
Panjit International Inc.
الكمية المتاحة
1574
DiGi رقم الجزء
PJQ5410_R2_00001-DG
سعر الوحدة
0.18
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMT6007LFG-13
MOSFET N-CH 60V 15A PWRDI3333
DMT10H015SPS-13
MOSFET N-CH 100V PWRDI5060
DMTH43M8LPS-13
MOSFET N-CH 40V 22A PWRDI5060
