DMT6012LPSW-13

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

DMT6012LPSW-13

Product Overview

المُصنّع:

Diodes Incorporated

رقم الجزء DiGi Electronics:

DMT6012LPSW-13-DG

وصف:

MOSFET BVDSS: 41V~60V POWERDI506

وصف تفصيلي:

N-Channel 60 V 13.1A (Ta), 31.5A (Tc) 3.1W (Ta), 17.9W (Tc) Surface Mount, Wettable Flank PowerDI5060-8 (Type UX)

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت

12978514

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

DMT6012LPSW-13 المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

Diodes Incorporated

تعبئة

Tape & Reel (TR)

سلسلة

-

حالة المنتج

Active

نوع FET

N-Channel

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

60 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

13.1A (Ta), 31.5A (Tc)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)

4.5V, 10V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

12mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

2.5V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

22.2 nC @ 10 V

Vgs (ماكس)

±20V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

1522 pF @ 30 V

ميزة FET

-

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

3.1W (Ta), 17.9W (Tc)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount, Wettable Flank

حزمة جهاز المورد

PowerDI5060-8 (Type UX)

العبوة / العلبة

8-PowerTDFN

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

معلومات إضافية

الباقة القياسية

2,500

اسماء اخرى

31-DMT6012LPSW-13TR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS

ROHS3 Compliant

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

diodes

DMN2053UWQ-13

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R

diodes

BSS123K-13

BSS FAMILY SOT23 T&R 10K

diodes

DMP3056LDMQ-7

MOSFET BVDSS: 25V~30V SOT26 T&R

diodes

DMN4034SSSQ-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V SO-8 T&R 2