رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMT68M8LPS-13
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMT68M8LPS-13-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V PWRDI5060
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 14.1A (Ta), 69.2A (Tc) 2.4W (Ta), 56.8W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
المخزون:
4890 قطع جديدة أصلية في المخزون
12901048
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMT68M8LPS-13 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
14.1A (Ta), 69.2A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
7.9mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
2078 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.4W (Ta), 56.8W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PowerDI5060-8
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
DMT68
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
31-DMT68M8LPS-13DKR
31-DMT68M8LPS-13TR
31-DMT68M8LPS-13CT
DMT68M8LPS-13-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TSM2302CX RFG
MOSFET N-CHANNEL 20V 3.9A SOT23
DMP3098L-7
MOSFET P-CH 30V 3.8A SOT23-3
BUK7623-75A,118
MOSFET N-CH 75V 53A D2PAK
