DMT68M8LSS-13

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

DMT68M8LSS-13

Product Overview

المُصنّع:

Diodes Incorporated

رقم الجزء DiGi Electronics:

DMT68M8LSS-13-DG

وصف:

MOSFET N-CHANNEL 60V 28.9A 8SO

وصف تفصيلي:

N-Channel 60 V 28.9A (Tc) 1.9W (Ta) Surface Mount 8-SOIC

المخزون:

2302 قطع جديدة أصلية في المخزون

12888467

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

DMT68M8LSS-13 المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

Diodes Incorporated

تعبئة

Tape & Reel (TR)

سلسلة

-

حالة المنتج

Active

نوع FET

N-Channel

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

60 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

28.9A (Tc)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)

4.5V, 10V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

8.5mOhm @ 13.5A, 10V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

3V @ 250µA

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

31.8 nC @ 10 V

Vgs (ماكس)

±20V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

2107 pF @ 30 V

ميزة FET

-

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

1.9W (Ta)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

حزمة جهاز المورد

8-SOIC

العبوة / العلبة

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

رقم المنتج الأساسي

DMT68

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

DMT68M8LSS-13-DG

معلومات إضافية

الباقة القياسية

2,500

اسماء اخرى

DMT68M8LSS-13-DG

31-DMT68M8LSS-13CT

31-DMT68M8LSS-13DKR

31-DMT68M8LSS-13TR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS

ROHS3 Compliant

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

diodes

DMTH62M8SPS-13

MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506

diodes

DMN53D0LQ-13

MOSFET N-CH 50V 500MA SOT23

nexperia

BUK7Y7R8-80EX

MOSFET N-CH 80V 100A LFPAK56

diodes

DMTH6005LCT

MOSFET N-CH 60V 100A TO220AB