رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMT8012LPS-13
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMT8012LPS-13-DG
وصف:
MOSFET N-CH 80V 9A/65A PWRDI5060
وصف تفصيلي:
N-Channel 80 V 9A (Ta), 65A (Tc) 2.1W (Ta), 113W (Tc) Surface Mount PowerDI5060-8
المخزون:
12896894
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMT8012LPS-13 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
80 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
9A (Ta), 65A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
17mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1949 pF @ 40 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.1W (Ta), 113W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PowerDI5060-8
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
DMT8012
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
DMT8012LPS-13DITR
DMT8012LPS-13DIDKR
DMT8012LPS-13DI
DMT8012LPS-13DICT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
FDMC86324
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
4642
DiGi رقم الجزء
FDMC86324-DG
سعر الوحدة
0.56
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
PJQ5476AL_R2_00001
المُصنِّع
Panjit International Inc.
الكمية المتاحة
639
DiGi رقم الجزء
PJQ5476AL_R2_00001-DG
سعر الوحدة
0.28
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TSM130NB06CR RLG
MOSFET N-CH 60V 10A/51A 8PDFN
TSM60NB380CP ROG
MOSFET N-CH 600V 9.5A TO252
TSM1NB60CP ROG
MOSFET N-CHANNEL 600V 1A TO252
