رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMTH6010SCT
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMTH6010SCT-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 100A TO220-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 2.8W (Ta), 125W (Tc) Through Hole TO-220-3
المخزون:
50 قطع جديدة أصلية في المخزون
12884858
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMTH6010SCT المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tube
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
100A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
7.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
36.3 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1940 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.8W (Ta), 125W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-220-3
العبوة / العلبة
TO-220-3
رقم المنتج الأساسي
DMTH6010
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
-DMTH6010SCTDI-5
DMTH6010SCTDI-5
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DMN2024U-13
MOSFET N-CH 20V 6.8A SOT23 T&R 1
DMTH6010SK3-13
MOSFET N-CH 60V 16.3A/70A TO252
DMN3042L-13
MOSFET N-CH 30V 5.8A SOT23
