رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DMTH8012LPSW-13
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DMTH8012LPSW-13-DG
وصف:
MOSFET N-CH 80V 53.7A PWRDI5060
وصف تفصيلي:
N-Channel 80 V 53.7A (Tc) 3.1W (Ta) Surface Mount PowerDI5060-8 (Type Q)
المخزون:
2500 قطع جديدة أصلية في المخزون
12897755
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DMTH8012LPSW-13 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
80 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
53.7A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
17mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1949 pF @ 40 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
3.1W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PowerDI5060-8 (Type Q)
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
DMTH8012
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
31-DMTH8012LPSW-13CT
DMTH8012LPSW-13-DG
31-DMTH8012LPSW-13TR
31-DMTH8012LPSW-13DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
TSM160N10LCR RLG
MOSFET N-CH 100V 46A 8PDFN
TSM80N1R2CH C5G
MOSFET N-CH 800V 5.5A TO251
TSM60N06CP ROG
MOSFET N-CHANNEL 60V 66A TO252
