رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
DRDNB26W-7
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
DRDNB26W-7-DG
وصف:
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT363
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 50 V 600 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount SOT-363
المخزون:
12888772
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
JDOx
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
DRDNB26W-7 المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب مسبقة التحفيز مفردة
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
NPN - Pre-Biased + Diode
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
600 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50 V
المقاوم - القاعدة (R1)
220 Ohms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
4.7 kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
47 @ 50mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 2.5mA, 50mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA
التردد - الانتقال
200 MHz
الطاقة - الحد الأقصى
200 mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
حزمة جهاز المورد
SOT-363
رقم المنتج الأساسي
DRDNB26
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
DRDNB26W7
DRDNB26WDIDKR
DRDNB26WDITR
DRDNB26WDICT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
DDTC115TKA-7-F
TRANS PREBIAS NPN 50V SC59-3
DDTA114WE-7-F
TRANS PREBIAS PNP 50V SOT523
DDTC124EE-7-F
TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523
