DRDNB26W-7
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

DRDNB26W-7

Product Overview

المُصنّع:

Diodes Incorporated

رقم الجزء DiGi Electronics:

DRDNB26W-7-DG

وصف:

TRANS PREBIAS NPN 50V SOT363
وصف تفصيلي:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased + Diode 50 V 600 mA 200 MHz 200 mW Surface Mount SOT-363

المخزون:

12888772
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

DRDNB26W-7 المواصفات الفنية

فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب مسبقة التحفيز مفردة
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
NPN - Pre-Biased + Diode
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
600 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
50 V
المقاوم - القاعدة (R1)
220 Ohms
المقاوم - قاعدة الباعث (R2)
4.7 kOhms
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
47 @ 50mA, 5V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
300mV @ 2.5mA, 50mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
500nA
التردد - الانتقال
200 MHz
الطاقة - الحد الأقصى
200 mW
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
حزمة جهاز المورد
SOT-363
رقم المنتج الأساسي
DRDNB26

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
DRDNB26W7
DRDNB26WDIDKR
DRDNB26WDITR
DRDNB26WDICT

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
diodes

DDTC115TKA-7-F

TRANS PREBIAS NPN 50V SC59-3

diodes

DDTA114WE-7-F

TRANS PREBIAS PNP 50V SOT523

diodes

DDTC124EE-7-F

TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523

diodes

DDTC115TUA-7-F

TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323