FZT603TA
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

FZT603TA

Product Overview

المُصنّع:

Diodes Incorporated

رقم الجزء DiGi Electronics:

FZT603TA-DG

وصف:

TRANS NPN DARL 80V 2A SOT223-3
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 80 V 2 A 150MHz 2 W Surface Mount SOT-223-3

المخزون:

27446 قطع جديدة أصلية في المخزون
12891076
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

FZT603TA المواصفات الفنية

فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
NPN - Darlington
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
2 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
80 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
1.13V @ 20mA, 2A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
10µA
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
5000 @ 500mA, 5V
الطاقة - الحد الأقصى
2 W
التردد - الانتقال
150MHz
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
TO-261-4, TO-261AA
حزمة جهاز المورد
SOT-223-3
رقم المنتج الأساسي
FZT603

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
FZT603CT
FZT603
FZT603CT-NDR
FZT603TR
FZT603TR-NDR
FZT603DKR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
toshiba-semiconductor-and-storage

2SA1930(ONK,Q,M)

TRANS PNP 180V 2A TO220NIS

toshiba-semiconductor-and-storage

2SA1587-GR,LF

TRANS PNP 120V 0.1A SC70

toshiba-semiconductor-and-storage

2SC3328-Y,HOF(M

TRANS NPN 80V 2A TO92MOD

toshiba-semiconductor-and-storage

TTC1949-GR,LF

TRANS NPN 50V 0.5A SMINI