رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
VN10LP
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
VN10LP-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 270MA TO92-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 270mA (Ta) 625mW (Ta) Through Hole TO-92
المخزون:
5433 قطع جديدة أصلية في المخزون
12903681
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
VN10LP المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Bulk
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
270mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 1mA
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
60 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
625mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
TO-92
العبوة / العلبة
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
رقم المنتج الأساسي
VN10
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
FVN10LP
VN10LP-NDR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
HUFA76429D3S
MOSFET N-CH 60V 20A TO252AA
ZVN2535ASTZ
MOSFET N-CH 350V 90MA E-LINE
ZXMN7A11KTC
MOSFET N-CH 70V 4.2A TO252-3