رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
ZTX614QSTZ
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
ZTX614QSTZ-DG
وصف:
PWR MID PERF TRANSISTOR EP3 AMMO
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 800 mA 1 W Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
المخزون:
12979352
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
ZTX614QSTZ المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Box (TB)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع الترانزستور
NPN - Darlington
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
800 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
100 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
1.25V @ 8mA, 800mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
100nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
10000 @ 500mA, 5V
الطاقة - الحد الأقصى
1 W
التردد - الانتقال
-
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 200°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
E-Line-3, Formed Leads
حزمة جهاز المورد
E-Line (TO-92 compatible)
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
اسماء اخرى
31-ZTX614QSTZTB
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
FMMT718QTA
SS LOW SAT TRANSISTOR SOT23 T&R
ZTX790AQSTZ
PWR LOW SAT TRANSISTOR EP3 AMMO
2N4063
POWER BJT