رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
ZTX855STOA
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
ZTX855STOA-DG
وصف:
TRANS NPN 150V 4A E-LINE
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 150 V 4 A 90MHz 1.2 W Through Hole E-Line (TO-92 compatible)
المخزون:
12886272
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
ZTX855STOA المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
4 A
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
150 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
260mV @ 400mA, 4A
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
50nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
100 @ 1A, 5V
الطاقة - الحد الأقصى
1.2 W
التردد - الانتقال
90MHz
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 200°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
العبوة / العلبة
E-Line-3
حزمة جهاز المورد
E-Line (TO-92 compatible)
رقم المنتج الأساسي
ZTX855
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
نماذج بديلة
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
APT13005SU-G1
TRANS NPN 450V 3.2A TO126
ZTX792ASTZ
TRANS PNP 70V 2A E-LINE
AC857BQ-7
TRANS PNP 45V 0.1A SOT23-3
