ZVN2110GTA
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

ZVN2110GTA

Product Overview

المُصنّع:

Diodes Incorporated

رقم الجزء DiGi Electronics:

ZVN2110GTA-DG

وصف:

MOSFET N-CH 100V 500MA SOT223
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 500mA (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223-3

المخزون:

8391 قطع جديدة أصلية في المخزون
12905673
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

ZVN2110GTA المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
500mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
4Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.4V @ 1mA
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
75 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-223-3
العبوة / العلبة
TO-261-4, TO-261AA
رقم المنتج الأساسي
ZVN2110

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
ZVN2110GCT
ZVN2110GDKRINACTIVE
ZVN2110G
ZVN2110GTR-NDR
ZVN2110GCT-NDR
ZVN2110GTR
ZVN2110GDKR-DG
Q1206752
ZVN2110GDKR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
vishay-siliconix

IRFR110TRPBF

MOSFET N-CH 100V 4.3A DPAK

littelfuse

IXFR27N80Q

MOSFET N-CH 800V 27A ISOPLUS247

diodes

ZVP2106ASTZ

MOSFET P-CH 60V 280MA E-LINE

fairchild-semiconductor

FQPF9N50YDTU

MOSFET N-CH 500V 5.3A TO220F-3