ZVN4306AVSTOA

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

ZVN4306AVSTOA

Product Overview

المُصنّع:

Diodes Incorporated

رقم الجزء DiGi Electronics:

ZVN4306AVSTOA-DG

وصف:

MOSFET N-CH 60V 1.1A E-LINE

وصف تفصيلي:

N-Channel 60 V 1.1A (Ta) 850mW (Ta) Through Hole E-Line (TO-92 compatible)

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت

12905580

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

ZVN4306AVSTOA المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

Diodes Incorporated

تعبئة

-

سلسلة

-

حالة المنتج

Obsolete

نوع FET

N-Channel

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

60 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

1.1A (Ta)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)

5V, 10V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

330mOhm @ 3A, 10V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

3V @ 1mA

Vgs (ماكس)

±20V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

350 pF @ 25 V

ميزة FET

-

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

850mW (Ta)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Through Hole

حزمة جهاز المورد

E-Line (TO-92 compatible)

العبوة / العلبة

E-Line-3

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

ZVN4306AVSTOA-DG

معلومات إضافية

الباقة القياسية

2,000

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS

ROHS3 Compliant

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

vishay-siliconix

IRLD110PBF

MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP

littelfuse

IXTA3N100P

MOSFET N-CH 1000V 3A TO263

diodes

ZXMN6A07ZTA

MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT89-3

littelfuse

IXFC14N60P

MOSFET N-CH 600V 8A ISOPLUS220