ZVP2110ASTOA

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

ZVP2110ASTOA

Product Overview

المُصنّع:

Diodes Incorporated

رقم الجزء DiGi Electronics:

ZVP2110ASTOA-DG

وصف:

MOSFET P-CH 100V 230MA E-LINE

وصف تفصيلي:

P-Channel 100 V 230mA (Ta) 700mW (Ta) Through Hole E-Line (TO-92 compatible)

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت

12887743

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

ZVP2110ASTOA المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

Diodes Incorporated

تعبئة

-

سلسلة

-

حالة المنتج

Obsolete

نوع FET

P-Channel

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

100 V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

230mA (Ta)

محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)

10V

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

8Ohm @ 375mA, 10V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

3.5V @ 1mA

Vgs (ماكس)

±20V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

100 pF @ 25 V

ميزة FET

-

تبديد الطاقة (الحد الأقصى)

700mW (Ta)

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Through Hole

حزمة جهاز المورد

E-Line (TO-92 compatible)

العبوة / العلبة

E-Line-3

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

ZVP2110ASTOA-DG

معلومات إضافية

الباقة القياسية

2,000

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS

ROHS3 Compliant

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

نماذج بديلة

رقم الجزء

VP0109N3-G

المُصنِّع

Microchip Technology

الكمية المتاحة

697

DiGi رقم الجزء

VP0109N3-G-DG

سعر الوحدة

0.81

نوع الاستبدال

MFR Recommended

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

diodes

DMG4435SSS-13

MOSFET P-CH 30V 7.3A 8SOP

diodes

DMN4030LK3Q-13

MOSFET N-CH 40V 9.4A TO252 T&R

diodes

DMN4010LFG-7

MOSFET N-CH 40V 11.5A PWRDI3333

diodes

ZVNL110GTA

MOSFET N-CH 100V 600MA SOT223