رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
ZXM62P03GTA
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
ZXM62P03GTA-DG
وصف:
MOSFET P-CH 30V 2.9A/4A SOT223
وصف تفصيلي:
P-Channel 30 V 2.9A (Ta), 4A (Tc) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223-3
المخزون:
12905046
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
ZXM62P03GTA المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.9A (Ta), 4A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
150mOhm @ 1.6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
10.2 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
330 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-223-3
العبوة / العلبة
TO-261-4, TO-261AA
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
BSP250,135
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
115354
DiGi رقم الجزء
BSP250,135-DG
سعر الوحدة
0.20
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
BSP250,115
المُصنِّع
Nexperia USA Inc.
الكمية المتاحة
24016
DiGi رقم الجزء
BSP250,115-DG
سعر الوحدة
0.20
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
FDT458P
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
5713
DiGi رقم الجزء
FDT458P-DG
سعر الوحدة
0.24
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF730ASTRLPBF
MOSFET N-CH 400V 5.5A D2PAK
FDD6782A
MOSFET N-CH 25V 20A DPAK
ZVN4424ASTOA
MOSFET N-CH 240V 260MA E-LINE
