رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
ZXM64P03XTA
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
ZXM64P03XTA-DG
وصف:
MOSFET P-CH 30V 3.8A 8MSOP
وصف تفصيلي:
P-Channel 30 V 3.8A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount 8-MSOP
المخزون:
1959 قطع جديدة أصلية في المخزون
12902232
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
ZXM64P03XTA المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.8A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
75mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
825 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
1.1W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
8-MSOP
العبوة / العلبة
8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
رقم المنتج الأساسي
ZXM64P03
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
ZXM64P03XTR-NDR
31-ZXM64P03XTATR
31-ZXM64P03XTACT
ZXM64P03XCT-NDR
31-ZXM64P03XTADKR
ZXM64P03XCT
ZXM64P03XDKR
ZXM64P03XDKR-NDR
ZXM64P03XTR
ZXM64P03X
ZXM64P03XTA-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
ZVNL110ASTZ
MOSFET N-CH 100V 320MA E-LINE
IXTA16N50P
MOSFET N-CH 500V 16A TO263
PMPB215ENEA/FX
MOSFET N-CH 80V 2.8A 6DFN
