رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
ZXMC4A16DN8TC
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
ZXMC4A16DN8TC-DG
وصف:
MOSFET N/P-CH 40V 5.2A/4.7A 8SO
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 40V 5.2A (Ta), 4.7A (Ta) 2.1W Surface Mount 8-SO
المخزون:
12906505
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
ZXMC4A16DN8TC المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
N and P-Channel Complementary
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5.2A (Ta), 4.7A (Ta)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
50mOhm @ 4.5A, 10V, 60mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250mA (Min)
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
17nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
770pF @ 40V, 1000pF @ 20V
الطاقة - الحد الأقصى
2.1W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SO
رقم المنتج الأساسي
ZXMC4A16
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
ZXMN2AMCTA
MOSFET 2N-CH 20V 3.7A 8DFN
FMP76-010T
MOSFET N/P-CH 100V 62A I4-PAC
ZXMD63P03XTC
MOSFET 2P-CH 30V 8MSOP