الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
Europe
United Kingdom
France
Spain
Turkey
Moldova
Lithuania
Norway
Germany
Portugal
Slovakia
ltaly
Finland
Russian
Bulgaria
Denmark
Estonia
Poland
Ukraine
Slovenia
Czech
Greek
Croatia
Israel
Serbia
Belarus
Netherlands
Sweden
Montenegro
Basque
Iceland
Bosnia
Hungarian
Romania
Austria
Belgium
Ireland
Asia / Pacific
China
Vietnam
Indonesia
Thailand
Laos
Filipino
Malaysia
Korea
Japan
HongKong
TaiWan
Singapore
Pakistan
Saudi Arabia
Qatar
Kuwait
Cambodia
Myanmar
Africa,India and Middle East
United Arab Emirates
Tajikistan
Madagascar
India
Iran
DR Congo
South Africa
Egypt
Kenya
Tanzania
Ghana
Senegal
Morocco
Tunisia
South America / Oceania
New Zealand
Angola
Brazil
Mozambique
Peru
Colombia
Chile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Argentina
Paraguay
Australia
North America
United States
Haiti
Canada
Costa Rica
Mexico
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
ZXMN10A07FTA
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
ZXMN10A07FTA-DG
وصف:
MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 700mA (Ta) 625mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
المخزون:
31256 قطع جديدة أصلية في المخزون
12905237
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
ZXMN10A07FTA المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
700mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
700mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
2.9 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
138 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
625mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-23-3
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
رقم المنتج الأساسي
ZXMN10
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
ZXMN10A07F
مخططات البيانات
ZXMN10A07FTA
ورقة بيانات HTML
ZXMN10A07FTA-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
Q2165296
ZXMN10A07FTR
ZXMN10A07FCT
ZXMN10A07FCT-NDR
ZXMN10A07FDKR
ZXMN10A07FTR-NDR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IXFT150N30X3HV
MOSFET N-CH 300V 150A TO268HV
ZXMN10A11K
MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-3
IRFBC30
MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB
IRF9520SPBF
MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK