رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
ZXMN4A06GTA
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
ZXMN4A06GTA-DG
وصف:
MOSFET N-CH 40V 5A SOT223
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 5A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223-3
المخزون:
12902444
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
ZXMN4A06GTA المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
50mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
18.2 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
770 pF @ 40 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-223-3
العبوة / العلبة
TO-261-4, TO-261AA
رقم المنتج الأساسي
ZXMN4A06
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
ZXMN4A06GTR
ZXMN4A06GTR-NDR
ZXMN4A06GDKR
ZXMN4A06GCT
ZXMN4A06GCT-NDR
Q3100363C
ZXMN4A06GDKRINACTIVE
ZXMN4A06GDKR-DG
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
NCV8402ASTT1G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
NCV8402ASTT1G-DG
سعر الوحدة
0.30
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
NCV8402ASTT3G
المُصنِّع
onsemi
الكمية المتاحة
0
DiGi رقم الجزء
NCV8402ASTT3G-DG
سعر الوحدة
0.30
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
ZXMN10B08E6TA
MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT26
ZXMN4A06KTC
MOSFET N-CH 40V 7.2A TO252-3
DMG1013T-7
MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523
