ZXMN6A25DN8TA

رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

ZXMN6A25DN8TA

Product Overview

المُصنّع:

Diodes Incorporated

رقم الجزء DiGi Electronics:

ZXMN6A25DN8TA-DG

وصف:

MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8SO

وصف تفصيلي:

Mosfet Array 60V 3.8A 1.8W Surface Mount 8-SO

المخزون:

1766 قطع جديدة أصلية في المخزون

12887820

طلب عرض سعر

الكمية
الحد الأدنى 1

(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة

إرسال

ZXMN6A25DN8TA المواصفات الفنية

فئة

ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET

المُصنّع

Diodes Incorporated

تعبئة

Tape & Reel (TR)

سلسلة

-

حالة المنتج

Active

التقنية

MOSFET (Metal Oxide)

تكوين

2 N-Channel (Dual)

ميزة FET

Logic Level Gate

استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)

60V

التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية

3.8A

Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs

50mOhm @ 3.6A, 10V

Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف

1V @ 250µA (Min)

شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs

20.4nC @ 10V

سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds

1063pF @ 30V

الطاقة - الحد الأقصى

1.8W

درجة حرارة التشغيل

-55°C ~ 150°C (TJ)

نوع التركيب

Surface Mount

العبوة / العلبة

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

حزمة جهاز المورد

8-SO

رقم المنتج الأساسي

ZXMN6

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات

مخططات البيانات

ورقة بيانات HTML

ZXMN6A25DN8TA-DG

معلومات إضافية

الباقة القياسية

500

اسماء اخرى

ZXMN6A25DN8-DG

ZXMN6A25DN8CT

ZXMN6A25DN8DKR

ZXMN6A25DN8TR-NDR

Q3400736

ZXMN6A25DN8TR

ZXMN6A25DN8

ZXMN6A25DN8CT-NDR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS

ROHS3 Compliant

مستوى حساسية الرطوبة (MSL)

1 (Unlimited)

حالة الوصول

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

شهادة ديجي

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

المنتجات ذات الصلة

diodes

DMHC4035LSD-13

MOSFET 2N/2P-CH 40V 4.5A 8SO

diodes

DMC2020USD-13

MOSFET N/P-CH 20V 7.8A/6.3A 8SO

diodes

DMC3028LSDXQ-13

MOSFET N/P-CH 30V 5.5A/5.8A 8SO

diodes

DMN1006UCA6-7

MOSFET 2N-CH X3-DSN2718-6