رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
ZXMN6A25G
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
ZXMN6A25G-DG
وصف:
MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223
وصف تفصيلي:
N-Channel 60 V 4.8A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount SOT-223-3
المخزون:
12886982
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
ZXMN6A25G المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
4.8A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
50mOhm @ 3.6A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA (Min)
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
20.4 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1063 pF @ 30 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
SOT-223-3
العبوة / العلبة
TO-261-4, TO-261AA
رقم المنتج الأساسي
ZXMN6
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
ZXMN6A25GTR
ZXMN6A25GDKR
ZXMN6A25GCT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IRLL024ZTRPBF
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
8701
DiGi رقم الجزء
IRLL024ZTRPBF-DG
سعر الوحدة
0.25
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
ZXMN6A25GTA
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
21837
DiGi رقم الجزء
ZXMN6A25GTA-DG
سعر الوحدة
0.37
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
STN3NF06L
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
11330
DiGi رقم الجزء
STN3NF06L-DG
سعر الوحدة
0.35
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
ZXMN3A14FQTA
MOSFET N-CH 30V 3.9A SOT23-3
ZXMN6A25N8TA
MOSFET N-CH 60V 4.3A 8SO
ZXMP7A17GQTA
MOSFET P-CH 70V 2.6A SOT223