الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
ZXMP10A18K
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
ZXMP10A18K-DG
وصف:
MOSFET P-CH 100V 3.8A TO252-3
وصف تفصيلي:
P-Channel 100 V 3.8A (Ta) 2.17W (Ta) Surface Mount TO-252-3
المخزون:
طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12902032
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
ZXMP10A18K المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
-
سلسلة
-
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.8A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
150mOhm @ 2.8A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
26.9 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1055 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.17W (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-252-3
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
ZXMP10
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
ZXMP10A18K
مخططات البيانات
ZXMP10A18K
ورقة بيانات HTML
ZXMP10A18K-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
ZXMP10A18KDKR
ZXMP10A18KTR
ZXMP10A18KCT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
ZXMP10A18KTC
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
29276
DiGi رقم الجزء
ZXMP10A18KTC-DG
سعر الوحدة
0.50
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
SPD15P10PLGBTMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
7981
DiGi رقم الجزء
SPD15P10PLGBTMA1-DG
سعر الوحدة
0.89
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
SUD09P10-195-GE3
المُصنِّع
Vishay Siliconix
الكمية المتاحة
30863
DiGi رقم الجزء
SUD09P10-195-GE3-DG
سعر الوحدة
0.29
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
ZVP2106ASTOB
MOSFET P-CH 60V 280MA E-LINE
ZXMP3F30FHTA
MOSFET P-CH 30V 2.8A SOT23
DMN6040SE-13
MOSFET BVDSS: 41V 60V SOT223 T&R
ZXMP3F35N8TA
MOSFET P-CH 30V 9.3A 8SO