رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
ZXMP6A16DN8TA
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
ZXMP6A16DN8TA-DG
وصف:
MOSFET 2P-CH 60V 3.9A 8SO
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 60V 3.9A (Ta) 2.15W Surface Mount 8-SO
المخزون:
495 قطع جديدة أصلية في المخزون
12885331
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
ZXMP6A16DN8TA المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 P-Channel (Dual)
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.9A (Ta)
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
85mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
12.1nC @ 5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1021pF @ 30V
الطاقة - الحد الأقصى
2.15W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
درجة
Automotive
تأهيل
AEC-Q101
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SO
رقم المنتج الأساسي
ZXMP6A16
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
ZXMP6A16DN8CT-NDR
31-ZXMP6A16DN8TADKR
31-ZXMP6A16DN8TACT
31-ZXMP6A16DN8TATR
ZXMP6A16DN8TR
ZXMP6A16DN8TR-NDR
ZXMP6A16DN8DKR-NDR
ZXMP6A16DN8CT
ZXMP6A16DN8TA-DG
ZXMP6A16DN8DKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
ZXMD63N02XTA
MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8MSOP
ZXMN3A04DN8TC
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8SO
ZXMC6A09DN8TA
MOSFET N/P-CH 60V 3.9A/3.7A 8SO