رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
ZXMP6A16DN8TC
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
ZXMP6A16DN8TC-DG
وصف:
MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8SO
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 60V 2.9A 1.25W Surface Mount 8-SO
المخزون:
12884976
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
ZXMP6A16DN8TC المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 P-Channel (Dual)
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
60V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2.9A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
85mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1V @ 250µA (Min)
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
24.2nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1021pF @ 30V
الطاقة - الحد الأقصى
1.25W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SO
رقم المنتج الأساسي
ZXMP6A16
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
ZXMP3A16DN8TA
MOSFET 2P-CH 30V 4.2A 8SO
ZXMD63P03XTA
MOSFET 2P-CH 30V 8MSOP
ZXMC10A816N8TC
MOSFET N/P-CH 100V 2A 8SO
