الرئيسية
منتجات
المصنعون
حول DiGi
اتصل بنا
مدونات ومشاركات
طلب عرض سعر
Morocco
تسجيل الدخول
اللغة الانتقائية
الLang الذي تختاره حاليًا:
Morocco
مفتاح:
الإنكليزية
أوروبا
المملكة المتحدة
فرنسا
إسبانيا
تركيا
مولدافيا
لتوانيا
النرويج
ألمانيا
البرتغال
سلوفاكيا
لتالي
فنلندا
الروسية
بلغاريا
الدانمارك
إستونيا
بولندا
أوكرانيا
سلوفينيا
التشيكية
اليونانية
كرواتيا
إسرائيل
صربيا
بيلاروسيا
هولندا
السويد
الجبل الأسود
الباسكية
أيسلندا
البوسنه
المجرية
رومانيا
النمسا
بلجيكا
أيرلندا
آسيا / المحيط الهادئ
الصين
فيتنام
إندونيسيا
تايلاند
لاوس
فيلبيني
ماليزيا
كوريا
اليابان
هونغ كونغ
تايوان
سنغافورة
باكستان
المملكة العربية السعودية
قطر
الكويت
كمبوديا
ميانمار
أفريقيا والهند والشرق الأوسط
الإمارات العربية المتحدة
طاجيكستان
مدغشقر
الهند
إيران
جمهورية الكونغو الديمقراطية
جنوب أفريقيا
مصر
كينيا
تنزانيا
غانا
السنغال
المغرب
تونس
أمريكا الجنوبية / أوقيانوسيا
نيوزيلندا
أنغولا
البرازيل
موزمبيق
بيرو
كولومبيا
شيلي
فنزويلا
الإكوادور
بوليفيا
اوروجواي
الأرجنتين
باراجواي
أستراليا
أمريكا الشمالية
الولايات المتحدة الأمريكية
هايتي
كندا
كوستاريكا
المكسيك
حول DiGi
معلومات عنا
معلومات عنا
شهاداتنا
DiGi مقدمة
لماذا DiGi
سياسة
سياسة الجودة
شروط الاستخدام
امتثال RoHS
عملية الإرجاع
الموارد
فئات المنتجات
المصنعون
مدونات ومشاركات
خدمات
ضمان الجودة
طريقة الدفع
شحنة عالمية
أسعار الشحن
الأسئلة الشائعة
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
ZXTN5551GTA
Product Overview
المُصنّع:
Diodes Incorporated
رقم الجزء DiGi Electronics:
ZXTN5551GTA-DG
وصف:
TRANS NPN 160V 0.6A SOT223-3
وصف تفصيلي:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 600 mA 130MHz 2 W Surface Mount SOT-223-3
المخزون:
1758 قطع جديدة أصلية في المخزون
12949570
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
*
شركة
*
اسم الاتصال
*
هاتف
*
البريد الإلكتروني
عنوان التوصيل
رسالة
(
*
) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
ZXTN5551GTA المواصفات الفنية
فئة
ثنائي القطب (BJT), ترانزستورات ثنائية القطب المفردة
المُصنّع
Diodes Incorporated
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Not For New Designs
نوع الترانزستور
NPN
التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى)
600 mA
الجهد - انهيار باعث المجمع (الحد الأقصى)
160 V
تشبع Vce (الحد الأقصى) @ Ib ، Ic
200mV @ 5mA, 50mA
التيار - قطع المجمع (الحد الأقصى)
50nA (ICBO)
كسب تيار التيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce
80 @ 10mA, 5V
الطاقة - الحد الأقصى
2 W
التردد - الانتقال
130MHz
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
TO-261-4, TO-261AA
حزمة جهاز المورد
SOT-223-3
رقم المنتج الأساسي
ZXTN5551
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
ZXTN5551G
مخططات البيانات
ZXTN5551GTA
ورقة بيانات HTML
ZXTN5551GTA-DG
معلومات إضافية
الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
ZXTN5551GTR
ZXTN5551GCT
ZXTN5551GDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
نماذج بديلة
رقم الجزء
DZT5551-13
المُصنِّع
Diodes Incorporated
الكمية المتاحة
81137
DiGi رقم الجزء
DZT5551-13-DG
سعر الوحدة
0.10
نوع الاستبدال
Direct
رقم الجزء
CZT5551 TR PBFREE
المُصنِّع
Central Semiconductor Corp
الكمية المتاحة
9510
DiGi رقم الجزء
CZT5551 TR PBFREE-DG
سعر الوحدة
0.42
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
2SA1680,F(J
TRANS PNP 50V 2A TO92MOD
ZTX688B
TRANS NPN 12V 3A E-LINE
APT13005SI-G1
TRANS NPN 450V 3.2A TO251
ZXTP2029FTA
TRANS PNP 100V 3A SOT23-3