رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
EPC2016
Product Overview
المُصنّع:
EPC
رقم الجزء DiGi Electronics:
EPC2016-DG
وصف:
GANFET N-CH 100V 11A DIE
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 11A (Ta) Surface Mount Die
المخزون:
12815126
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
EPC2016 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
EPC
تعبئة
-
سلسلة
eGaN®
حالة المنتج
Discontinued at Digi-Key
نوع FET
N-Channel
التقنية
GaNFET (Gallium Nitride)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
11A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
16mOhm @ 11A, 5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 3mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
5.2 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
+6V, -5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
520 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
-
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 125°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
Die
العبوة / العلبة
Die
رقم المنتج الأساسي
EPC20
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
917-1027-2
917-1027-1
917-1027-6
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0040
نماذج بديلة
رقم الجزء
EPC2016C
المُصنِّع
EPC
الكمية المتاحة
177045
DiGi رقم الجزء
EPC2016C-DG
سعر الوحدة
1.07
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
SIPC03N60C3X1SA1
TRANSISTOR N-CH
DN3765K4-G
MOSFET N-CH 650V 300MA TO252-3
IPD60R600CPBTMA1
MOSFET N-CH 600V 6.1A TO252-3
