رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
EPC2110ENGRT
Product Overview
المُصنّع:
EPC
رقم الجزء DiGi Electronics:
EPC2110ENGRT-DG
وصف:
GANFET 2N-CH 120V 3.4A DIE
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 120V 3.4A Surface Mount Die
المخزون:
12795179
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
EPC2110ENGRT المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
EPC
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
eGaN®
حالة المنتج
Active
التقنية
GaNFET (Gallium Nitride)
تكوين
2 N-Channel (Dual) Common Source
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
120V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
3.4A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
60mOhm @ 4A, 5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 700µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
0.8nC @ 5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
80pF @ 60V
الطاقة - الحد الأقصى
-
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
Die
حزمة جهاز المورد
Die
رقم المنتج الأساسي
EPC211
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
917-EPC2110ENGRCT
917-EPC2110ENGRTR
EPC2110ENGR
917-EPC2110ENGRDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0040
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
EPC2106
GANFET 2N-CH 100V 1.7A DIE
EPC2105ENGRT
GANFET 2N-CH 80V 9.5A DIE
EPC2108
GANFET 3 N-CH 60V/100V 9BGA
