رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
EPC2215
Product Overview
المُصنّع:
EPC
رقم الجزء DiGi Electronics:
EPC2215-DG
وصف:
GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE
وصف تفصيلي:
N-Channel 200 V 32A (Ta) Surface Mount Die
المخزون:
12805 قطع جديدة أصلية في المخزون
12795228
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
EPC2215 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
EPC
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
-
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
GaNFET (Gallium Nitride)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
32A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
8mOhm @ 20A, 5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 6mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
17.7 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
+6V, -4V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
1790 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
-
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
Die
العبوة / العلبة
Die
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
Q14478962
917-1218-2
917-1218-1
917-1218-6
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0040
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
