رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
EPC2302ENGRT
Product Overview
المُصنّع:
EPC
رقم الجزء DiGi Electronics:
EPC2302ENGRT-DG
وصف:
TRANS GAN 100V DIE .0018OHM
وصف تفصيلي:
N-Channel 100 V 101A (Ta) Surface Mount 7-QFN (3x5)
المخزون:
12973375
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
EPC2302ENGRT المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
EPC
تعبئة
-
سلسلة
eGaN®
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
GaNFET (Gallium Nitride)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
100 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
101A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.8mOhm @ 50A, 5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.5V @ 14mA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
23 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
+6V, -4V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
3200 pF @ 50 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
-
درجة حرارة التشغيل
-40°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
7-QFN (3x5)
العبوة / العلبة
7-PowerWQFN
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
917-EPC2302ENGRTTR
917-EPC2302ENGRTDKR
917-EPC2302ENGRTCT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0040
نماذج بديلة
رقم الجزء
EPC2302
المُصنِّع
EPC
الكمية المتاحة
53615
DiGi رقم الجزء
EPC2302-DG
سعر الوحدة
4.20
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
MCG60N03Y-TP
MOSFET N-CH DFN3333
IPW65R230CFD7AXKSA1
650V COOLMOS CFD7A SJ POWER DEVI
TSM60NC390CI C0G
600V, 11A, SINGLE N-CHANNEL POWE
