G130N06M
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

G130N06M

Product Overview

المُصنّع:

Goford Semiconductor

رقم الجزء DiGi Electronics:

G130N06M-DG

وصف:

MOSFET N-CH 60V 90A TO-263
وصف تفصيلي:
N-Channel 90A (Tc) 85W (Tc) Surface Mount TO-263

المخزون:

طلبات الأسعار عبر الإنترنت
12993058
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

G130N06M المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Goford Semiconductor
تعبئة
-
سلسلة
TrenchFET®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
90A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
4.5V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
12mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.4V @ 250µA
Vgs (ماكس)
±20V
ميزة FET
Standard
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
85W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
G130N06M

معلومات إضافية

الباقة القياسية
1,600
اسماء اخرى
4822-G130N06MTR

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
3 (168 Hours)
حالة الوصول
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000

نماذج بديلة

رقم الجزء
G130N06M
المُصنِّع
Goford Semiconductor
الكمية المتاحة
780
DiGi رقم الجزء
G130N06M-DG
سعر الوحدة
0.32
نوع الاستبدال
Parametric Equivalent
شهادة ديجي
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
المنتجات ذات الصلة
diodes

DMTH12H007SPSWQ-13

MOSFET BVDSS: 101V~250V PowerDI5

diodes

DMP3007LK3Q-13

MOSFET BVDSS: 25V~30V TO252 T&R

diodes

DMP27M1UPSW-13

MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI5060

diodes

DMPH16M1UPSW-13

MOSFET BVDSS: 8V~24V PowerDI5060