رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSS126H6327XTSA2
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSS126H6327XTSA2-DG
وصف:
MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 21mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
المخزون:
123266 قطع جديدة أصلية في المخزون
12799405
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSS126H6327XTSA2 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
SIPMOS®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
21mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
0V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
500Ohm @ 16mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.6V @ 8µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
2.1 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
28 pF @ 25 V
ميزة FET
Depletion Mode
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
500mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-SOT23
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
رقم المنتج الأساسي
BSS126
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
BSS126H6327XTSA2DKR
BSS126H6327XTSA2TR
SP000919334
BSS126H6327XTSA2CT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
BSD816SNL6327HTSA1
MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363-6
BSC16DN25NS3GATMA1
MOSFET N-CH 250V 10.9A TDSON-8-5
BSC0902NSATMA1
MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON
