BSS126H6327XTSA2
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

BSS126H6327XTSA2

Product Overview

المُصنّع:

Infineon Technologies

رقم الجزء DiGi Electronics:

BSS126H6327XTSA2-DG

وصف:

MOSFET N-CH 600V 21MA SOT23-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 600 V 21mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23

المخزون:

123266 قطع جديدة أصلية في المخزون
12799405
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

BSS126H6327XTSA2 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
SIPMOS®
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
600 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
21mA (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
0V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
500Ohm @ 16mA, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.6V @ 8µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
2.1 nC @ 5 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
28 pF @ 25 V
ميزة FET
Depletion Mode
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
500mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-SOT23
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
رقم المنتج الأساسي
BSS126

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
BSS126H6327XTSA2DKR
BSS126H6327XTSA2TR
SP000919334
BSS126H6327XTSA2CT

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
infineon-technologies

BSD816SNL6327HTSA1

MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363-6

infineon-technologies

BSC16DN25NS3GATMA1

MOSFET N-CH 250V 10.9A TDSON-8-5

infineon-technologies

BSC0902NSATMA1

MOSFET N-CH 30V 24A/100A TDSON

infineon-technologies

BSS84PH6327XTSA1

MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3