رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSS215PH6327XTSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSS215PH6327XTSA1-DG
وصف:
MOSFET P-CH 20V 1.5A SOT23-3
وصف تفصيلي:
P-Channel 20 V 1.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
المخزون:
22188 قطع جديدة أصلية في المخزون
12799556
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSS215PH6327XTSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
P-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
20 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
1.5A (Ta)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
2.5V, 4.5V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
150mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
1.2V @ 11µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
3.6 nC @ 4.5 V
Vgs (ماكس)
±12V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
346 pF @ 15 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
500mW (Ta)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-SOT23
العبوة / العلبة
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
رقم المنتج الأساسي
BSS215
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
3,000
اسماء اخرى
BSS215P H6327CT
BSS215P H6327-DG
SP000928938
BSS215P H6327DKR
BSS215PH6327XTSA1CT
BSS215P H6327DKR-DG
BSS215P H6327TR-DG
BSS215PH6327XTSA1TR
BSS215P H6327CT-DG
BSS215PH6327XTSA1DKR
BSS215P H6327
BSS215PH6327
2156-BSS215PH6327XTSA1TR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPA093N06N3GXKSA1
MOSFET N-CH 60V 43A TO220-3-31
BSC670N25NSFDATMA1
MOSFET N-CH 250V 24A TDSON-8-1
IPA50R650CEXKSA2
MOSFET N-CH 500V 4.6A TO220