رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
BSZ340N08NS3GATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
BSZ340N08NS3GATMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 80V 6A/23A 8TSDSON
وصف تفصيلي:
N-Channel 80 V 6A (Ta), 23A (Tc) 2.1W (Ta), 32W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
المخزون:
46713 قطع جديدة أصلية في المخزون
12801406
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
BSZ340N08NS3GATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
80 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6A (Ta), 23A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
34mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 12µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
9.1 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
630 pF @ 40 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
2.1W (Ta), 32W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TSDSON-8
العبوة / العلبة
8-PowerTDFN
رقم المنتج الأساسي
BSZ340
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
5,000
اسماء اخرى
BSZ340N08NS3GINTR-DG
BSZ340N08NS3GATMA1TR
BSZ340N08NS3GINDKR-DG
BSZ340N08NS3GATMA1CT
BSZ340N08NS3GINCT
BSZ340N08NS3GINCT-DG
BSZ340N08NS3 G
SP000443634
BSZ340N08NS3GINDKR
BSZ340N08NS3GATMA1DKR
BSZ340N08NS3G
BSZ340N08NS3GINTR
BSZ340N08NS3GXT
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPB120P04P4L03ATMA1
MOSFET P-CH 40V 120A D2PAK
CSD23285F5T
MOSFET P-CH 12V 5.4A 3PICOSTAR
IPD09N03LB G
MOSFET N-CH 30V 50A TO252-3
