رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPA90R1K2C3XKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPA90R1K2C3XKSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 900V 5.1A TO220-FP
وصف تفصيلي:
N-Channel 900 V 5.1A (Tc) 31W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
المخزون:
12804045
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPA90R1K2C3XKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
CoolMOS™
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
900 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
5.1A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
1.2Ohm @ 2.8A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 310µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
710 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
31W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO220-FP
العبوة / العلبة
TO-220-3 Full Pack
رقم المنتج الأساسي
IPA90R
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
IPA90R1K2C3-DG
2156-IPA90R1K2C3XKSA1
IPA90R1K2C3
IFEINFIPA90R1K2C3XKSA1
Q4141204
SP000413714
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STF6N60M2
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
410
DiGi رقم الجزء
STF6N60M2-DG
سعر الوحدة
0.55
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
IPA90R1K2C3XKSA2
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
312
DiGi رقم الجزء
IPA90R1K2C3XKSA2-DG
سعر الوحدة
0.72
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF6775MTRPBF
MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
IRF8113
MOSFET N-CH 30V 17.2A 8SO
IRF300P226
MOSFET N-CH 300V 100A TO247AC
