IPB073N15N5ATMA1
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

IPB073N15N5ATMA1

Product Overview

المُصنّع:

Infineon Technologies

رقم الجزء DiGi Electronics:

IPB073N15N5ATMA1-DG

وصف:

MOSFET N-CH 150V 114A TO263-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 150 V 114A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2

المخزون:

2934 قطع جديدة أصلية في المخزون
12800569
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

IPB073N15N5ATMA1 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
OptiMOS™-5
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
150 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
114A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
8V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
7.3mOhm @ 57A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4.6V @ 160µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
61 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4700 pF @ 75 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
214W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO263-3-2
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
رقم المنتج الأساسي
IPB073

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
1,000
اسماء اخرى
IPB073N15N5ATMA1DKR
IPB073N15N5ATMA1TR
IPB073N15N5ATMA1CT
SP001180660
IPB073N15N5ATMA1-DG

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
infineon-technologies

IPA60R600P7XKSA1

MOSFET N-CH 600V 6A TO220

infineon-technologies

IPD65R190C7ATMA1

MOSFET N-CH 650V 13A TO252-3

infineon-technologies

IPA60R099P6XKSA1

MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP

infineon-technologies

IPP08CNE8N G

MOSFET N-CH 85V 95A TO220-3