IPC300N20N3X7SA1
رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:

IPC300N20N3X7SA1

Product Overview

المُصنّع:

Infineon Technologies

رقم الجزء DiGi Electronics:

IPC300N20N3X7SA1-DG

وصف:

MV POWER MOS
وصف تفصيلي:
N-Channel 200 V Surface Mount Die

المخزون:

12858148
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال

IPC300N20N3X7SA1 المواصفات الفنية

فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
OptiMOS™3
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
200 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
-
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
100mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 270µA
Vgs (ماكس)
-
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
-
درجة حرارة التشغيل
-
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
Die
العبوة / العلبة
Die
رقم المنتج الأساسي
IPC300N

مواصفات تقنية ومستندات

أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML

معلومات إضافية

الباقة القياسية
1
اسماء اخرى
SP001155558

التصنيف البيئي والتصدير

حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
renesas-electronics-america

N0603N-S23-AY

MOSFET N-CH 60V 100A TO262

onsemi

NDH8447

MOSFET P-CH 30V 4.4A SUPERSOT8

onsemi

NTGS1135PT1G

MOSFET P-CH 8V 4.6A 6TSOP