رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPD50R650CEATMA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPD50R650CEATMA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 500V 6.1A TO252-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 500 V 6.1A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
المخزون:
12801850
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
Hp7N
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPD50R650CEATMA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
CoolMOS™ CE
حالة المنتج
Obsolete
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
500 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
6.1A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
13V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
650mOhm @ 1.8A, 13V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.5V @ 150µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
342 pF @ 100 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
69W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
PG-TO252-3
العبوة / العلبة
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
رقم المنتج الأساسي
IPD50R
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
2,500
اسماء اخرى
IPD50R650CEATMA1DKR
IPD50R650CEATMA1CT
IPD50R650CEATMA1-DG
SP001117708
IPD50R650CEATMA1TR
التصنيف البيئي والتصدير
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
3 (168 Hours)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
IPD50R650CEAUMA1
المُصنِّع
Infineon Technologies
الكمية المتاحة
1584
DiGi رقم الجزء
IPD50R650CEAUMA1-DG
سعر الوحدة
0.27
نوع الاستبدال
Direct
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
AUIRF1405ZS
MOSFET N-CH 55V 150A D2PAK
BSC13DN30NSFDATMA1
MOSFET N-CH 300V 16A TDSON-8-1
AUIRF7799L2TR
MOSFET N-CH 250V 375A DIRECTFET
