رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IPI076N12N3GAKSA1
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IPI076N12N3GAKSA1-DG
وصف:
MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3
وصف تفصيلي:
N-Channel 120 V 100A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
المخزون:
498 قطع جديدة أصلية في المخزون
12803434
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IPI076N12N3GAKSA1 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tube
سلسلة
OptiMOS™
حالة المنتج
Active
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
120 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
100A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
7.6mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
4V @ 130µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
101 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
6640 pF @ 60 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
188W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Through Hole
حزمة جهاز المورد
PG-TO262-3
العبوة / العلبة
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
رقم المنتج الأساسي
IPI076
مواصفات تقنية ومستندات
أوراق البيانات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
500
اسماء اخرى
IPI076N12N3 G-DG
2156-IPI076N12N3GAKSA1-448
SP000652738
IPI076N12N3 G
IPI076N12N3G
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IPP26CNE8N G
MOSFET N-CH 85V 35A TO220-3
IRFS4620TRLPBF
MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
IPB160N04S203ATMA1
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
