رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF7102
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF7102-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SO
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 50V 2A 2W Surface Mount 8-SO
المخزون:
12823258
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF7102 المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Obsolete
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
-
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
50V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
2A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
300mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3V @ 250µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
6.6nC @ 10V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
120pF @ 25V
الطاقة - الحد الأقصى
2W
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SO
رقم المنتج الأساسي
IRF71
مواصفات تقنية ومستندات
مخططات البيانات
ورقة بيانات HTML
معلومات إضافية
الباقة القياسية
95
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
RoHS non-compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF7303TRPBF
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SO
IRF7750
MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8TSSOP
MCCD2004-TP
MOSFET 2N-CH 20V 10A 6DFN
