رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRF7907TRPBF
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRF7907TRPBF-DG
وصف:
MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8SO
وصف تفصيلي:
Mosfet Array 30V 9.1A, 11A 2W Surface Mount 8-SO
المخزون:
9522 قطع جديدة أصلية في المخزون
12816853
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRF7907TRPBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات تأثير المجال (FET)، مصفوفات ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
Tape & Reel (TR)
سلسلة
HEXFET®
حالة المنتج
Active
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
تكوين
2 N-Channel (Dual)
ميزة FET
Logic Level Gate
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
30V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
9.1A, 11A
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
16.4mOhm @ 9.1A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
2.35V @ 25µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
10nC @ 4.5V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
850pF @ 15V
الطاقة - الحد الأقصى
2W
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 150°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
العبوة / العلبة
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
حزمة جهاز المورد
8-SO
رقم المنتج الأساسي
IRF7907
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
4,000
اسماء اخرى
IRF7907TRPBF-DG
SP001566462
IRF7907TRPBFTR
IRF7907TRPBFCT
IRF7907TRPBFDKR
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
KGF20N05D
MOSFET 2N-CH 5.5V 20A 20WLCSP
SSD2007ATF
MOSFET 2N-CH 50V 2A 8SOIC
LP1030DK1-G
MOSFET 2P-CH 300V SOT23-5
