رقم المنتج الخاص بالشركة المصنعة:
IRFS7440PBF
Product Overview
المُصنّع:
Infineon Technologies
رقم الجزء DiGi Electronics:
IRFS7440PBF-DG
وصف:
MOSFET N CH 40V 120A D2PAK
وصف تفصيلي:
N-Channel 40 V 120A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
المخزون:
12805808
طلب عرض سعر
الكمية
الحد الأدنى 1
الحد الأدنى 1
(*) إلزامي
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
سنتواصل معك في غضون 24 ساعة
إرسال
IRFS7440PBF المواصفات الفنية
فئة
ترانزستورات تأثير المجال، ترانزستورات MOSFET, ترانزستورات وحيدة، ترانزستورات MOSFET
المُصنّع
Infineon Technologies
تعبئة
-
سلسلة
HEXFET®, StrongIRFET™
حالة المنتج
Discontinued at Digi-Key
نوع FET
N-Channel
التقنية
MOSFET (Metal Oxide)
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss)
40 V
التيار - التصريف المستمر (المعرف) @ 25 درجة مئوية
120A (Tc)
محرك الجهد (الحد الأقصى للطرق ، الحد الأدنى من الطرق على)
6V, 10V
Rds On (الحد الأقصى) @ معرف ، Vgs
2.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (الحد الأقصى) @ معرف
3.9V @ 100µA
شحن البوابة (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs
135 nC @ 10 V
Vgs (ماكس)
±20V
سعة الإدخال (Ciss) (الحد الأقصى) @ Vds
4730 pF @ 25 V
ميزة FET
-
تبديد الطاقة (الحد الأقصى)
208W (Tc)
درجة حرارة التشغيل
-55°C ~ 175°C (TJ)
نوع التركيب
Surface Mount
حزمة جهاز المورد
TO-263 (D2PAK)
العبوة / العلبة
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
مواصفات تقنية ومستندات
معلومات إضافية
الباقة القياسية
50
اسماء اخرى
SP001565244
التصنيف البيئي والتصدير
حالة RoHS
ROHS3 Compliant
مستوى حساسية الرطوبة (MSL)
1 (Unlimited)
حالة الوصول
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
نماذج بديلة
رقم الجزء
STB270N4F3
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
3013
DiGi رقم الجزء
STB270N4F3-DG
سعر الوحدة
2.04
نوع الاستبدال
MFR Recommended
رقم الجزء
STB120N4F6
المُصنِّع
STMicroelectronics
الكمية المتاحة
944
DiGi رقم الجزء
STB120N4F6-DG
سعر الوحدة
0.93
نوع الاستبدال
MFR Recommended
شهادة ديجي
المنتجات ذات الصلة
IRF630NSPBF
MOSFET N-CH 200V 9.3A D2PAK
IRFR4615TRLPBF
MOSFET N-CH 150V 33A DPAK
IRFH6200TR2PBF
MOSFET N-CH 20V 100A 5X6 PQFN